Veniva kile valmistamise meetod

Molekulaarkiire epitaksia. Molekulaarkiire epitaksia on meetod, mille abil venituskilede tootjad kasutavad molekulaarkiirte kasvatamiseks ultrafiltreerimisüksustes. Molecular beam epitaxy (MBE) viiakse läbi vaakumpumba (UHV) all, mis tagab, et molekulaarkiire epitaksial on suur keskmine vaba tee ja seda saab vastavalt projekteerimisskeemile projitseerida substraadi pinnale.
See on MBE omadus, et erinevalt teistest venitatud kilede kasvatamise meetoditest on sellel meetodil palju eeliseid: see suudab integreerida detektorid, mis nõuavad kõrget vaakumpumba standardit, epitaksia kasvusüsteemi tarkvara. Epitaksiaalse kasvu põhimõtete teaduslikud uuringud on näidanud standardit. Epitaksiaalse kihi paksust saab täpselt kontrollida ja kasvupind või leht võib saavutada molekulaarse läike, võimaldades toota venitatud kilesid. 2. Laseri ühe impulsi superpositsiooni meetod. Laseri üheimpulss-sadestamise meetod erineb traditsioonilisest õhukese kile sepistamise vaakumaurustamisest. Laser võib tõsta kiiritatud ala temperatuuri kiiruseni, mis seejärel soojendab kiiritatud ala lihtsast kuumutamisest kuni küünlapõletamiseni plasmatehnoloogia abil. Küünlavalgus väljub piki pinna tavalist suunda ja tekitab plastilisi või peegeldavaid kokkupõrkeid peegelduskambris olevate õhus olevate molekulide või molekulidega.